双低电压理想二极管控制器

  LTC?4353控制外部N沟道MOSFET来实现一个理想的二极管功能。它取代了两个高功率肖特基二极管和其相关的散热器，节省功耗和电路板面积。理想二极管的功能，允许低损失电源ORing和供应滞留应用的。
  LTC4353调节横跨正向压降MOSFET在二极管或应用程序，以确保平稳的电流传输。快速转上减少在电源切换的负载电压跌落。如果输入电源发生故障或短路，快速关断反向电流瞬变降到最低。
  控制器工作在2.9V至18V用品。如果两个电源低于2.9V，需要外部电源VCC引脚。启用输入可用于关闭MOSFET和控制器的低电流状态。状态输出指示是否MOSFET是开启或关闭。
  特点
功率二极管的低损耗替代
控制N沟道MOSFET小号
0V至18V电源“或”或持枪抢劫
1μs的栅极导通和关断时间
使能输入
MOSFET的导通 状态输出
16引脚MSOP和DFN封装（4毫米×3毫米）封装
  
  应用
冗余电源
供应含率
高可用性系统和服务器
电信和网络基础设施