应材流动式铜制程技术，克服关键互连挑战

应用材料公司近日推出突破性的Applied Endura Amber物理气相沉积(PVD)系统，打破互连技术的限制，让晶片上数十亿颗电晶体的路径互连技术更上一层楼。Amber系统采用革命性的铜再流动技术，是目前唯一经过验证、能够达成10奈米技术世代无孔隙铜结构的单反应室解决方案，克服制造先进逻辑与记忆体装置的重大挑战。应用材料公司副总裁暨金属沉积产品事业部总经理桑德?拉玛莫斯(Sundar Ramamurthy)表示：「Endura Amber物理气相沉积系统的突破性解决方案，能微缩20nm以下世代的互连范围、同时维持理想的生产良率。本公司运用尖端的PVD技术，以独门系统克服上述的挑战，无论是何种装置节点，几乎都能以快速、无孔隙的方式充填结构。Amber系统目前已出货超过30组反应室，获得业界客户热烈回响。本套系统已经逻辑与记忆体装置制造商验证，列为首选机台。」当今高密度微晶片拥有复杂的多层次网路，铜导线长达60英哩(约96.5公里)以上，各层之间高达上百亿个垂直导线互连。未来，随着互连结构变得更窄、更深，这些数字将会大幅增加，传统技术要用铜材全面又确实地填充导孔，将会变得极度困难。在10奈米技术世代，只要出现一个孔隙，晶片就不堪使用，这是一大问题。应用材料公司的Amber铜制程再流动技术能克服这项关键挑战，利用这些微小的特征尺寸，将缺点变成优点。利用毛细管作用，可将沉积的铜吸入最微小的导孔间，从底部往上充填，这样一来，晶粒布局上的大小导孔都能以快速、无孔隙的方式充填。Amber系统植基于高度成功的Endura CuBS RFX PVD系统的数项创新技术。CuBS RFX系统独特的PVD技术，造就了精确的沉积分布——底部较厚而且无铜突悬现象，这对后续再流动制程至为重要。