3~5 GHz超宽带可变增益CMOS低噪声放大器的设计

摘  要： 基于TSMC 0.18 μm RF CMOS工艺，设计了一款工作在3 GHz～5 GHz的增益连续可调CMOS低噪声放大器。采用RC电阻负反馈式结构以获得良好的输入匹配和噪声性能。通过改变第二级MOS管的偏流, 在工作频段内获得了36.5 dB的连续增益可调。
关键词： 超宽带；低噪声放大器；增益可调；CMOS
       超宽带UWB（Ultra-Wide band）技术是一种新兴的无线通信技术，具有数据传输速率高、功耗低、安全性好等优势，在雷达定位、智能交通系统、无线个人局域网（WPAN）等方面得到广泛应用。而作为超宽带射频无线接收机最前端的低噪声放大器,对系统的灵敏度具有决定性作用。可变增益低噪声放大器除满足低的噪声系数和高的增益等指标外，还可以稳定输出、增大接收机的动态范围、满足混频器的线性度要求, 可灵活应用于超宽带系统设计。目前已报道的可变增益LNA主要采用开关选择技术[1-2]、负反馈技术及偏流控制技术等[3-4]。上述方法对窄带低噪声放大器的增益能实现连续控制,但在超宽带放大器中会造成放大器的回波损耗及增益平坦度等指标随着增益的减小而恶化。
     本文提出了一个基于TSMC 0.18 μm CMOS工艺的3 GHz~5 GHz增益可变的低噪声放大器。采用二级共源共栅结构，使用并联负反馈展宽频带，通过控制第二级放大器的偏流来实现增益连续可变。仿真结果表明，该放大器在工作频段内可实现增益变化为36.5 dB，输入输出回波损耗及增益平坦度几乎不变，噪声系数最小值为1.46 dB，在1.8 V电源下，功耗仅有6.2 mW。
1 电路设计
1.1 超宽带输入阻抗匹配
     基于CMOS工艺的经典电感源简并(Inductively source degeneration)结构的LNA具有噪声系数小、增益高等特点，在实现宽带LNA电路时，通常需要增加负反馈网络，降低电路品质因数来拓展频带。本文采用了典型的RC并联负反馈结构[5]，其电路如图1所示。M1和M2组成LNA的主放大电路, M3和M4组成第二级放大电路，M5和M6组成源极跟随器作为输出缓冲。两级电路采用电感负载L1和L2引入零点，以补偿因寄生电容引起的增益下降；R1和R2用来提高低频增益和改善增益平坦度；RfCf为负反馈网络。为便于调整，栅极电感Lg与输出匹配电路在片外实现。M1源极所接负反馈电感Ls用以实现输入阻抗匹配，Lg可调整LNA电路的谐振频点。
   
   从式(4)可以看出，Rf越大则NF越小，但Rf的增大必然要求Av增大以满足阻抗匹配的要求, 这会对功耗提出更高的要求,需要折衷。  
1.3 增益控制分析