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[嵌入式/ARM] 电磁兼容与 EMI抑制器件技术

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admin 发表于 2013-3-23 07:15:37 | 显示全部楼层 |阅读模式

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中心议题:
  电磁兼容新进展
  无源EMI滤波器性能改善设计
  EMI滤波器小型化设计技术
   开关电源三高一低的发展趋势,使EMI滤波器面临着持续改进压力!本文介绍EMI滤波器的常见问题、发展趋势及改善EMI滤波器性能的办法;从滤波器L/C器件性能影响因素、L磁饱和/频率的影响、 LC温度的影响、滤波器L/C器件杂散耦合的影响、寄生参数/耦合的抑制五大方面分析无源EMI滤波器高频性能的改善方案;并介绍了平面集成设计(电磁集成;电容、电感集成)及混合集成设计两大EMI滤波器小型化设计技术。

一、电磁兼容新进展

开关电源三高一低的发展趋势,EMI滤波器面临着持续改进压力!
            20121107051457054972475.jpg
EMI滤波器应达到高衰减性能、小体积、低成本。

EMI滤波器的常见问题:
  低频传导发射高
  高频传导/辐射发射高
  体积大
   影响EMI滤波器性能/体积的因素:
  L、C最小否? 从主电路结构、控制及频率方面来看LC对滤波器的性能影响
  拓扑优化否?拓扑是否优化要看阻抗失配的情况如何。
  材料影响否? 对于材料,主要考虑的是磁芯Bs/u’+ju’’
  寄生/耦合影响否?对于元器件之间的寄生/耦合作用是否影响滤波器的性能,主要是从器件工艺/布局方面来考虑,通过优化器件的布局来尽量减少影响作用,提高性能。
   改善滤波器性能/体积的可能方法:
  低通滤波器的精细设计
  新型滤波器结构设计
   二. 无源EMI滤波器性能改善设计
                      20121107051457086222476.jpg
无源LC反射滤波或吸收滤波,可覆盖150kHz-1GHz。
                 ·EMI滤波器应处于阻抗失配状态
               ·电感、电容应有足够的电压、电流容量
               ·Ldm电感、Cx、Cy电容有最大值限制
   如何选择EMI滤波器拓扑?

                   20121107051457164342477.jpg
如果一阶滤波器无法满足要求,可以使用多阶滤波器。


    改善的CM/DM滤波器拓扑:


   
20121107051457195592478.jpg
                                        20121107051457226842479.jpg
滤波器L/C器件性能影响因素分析

电容引脚:
                               20121107051457289342480.jpg
  
电感
                            20121107051457351842481.jpg
         20121107051457383092482.jpg
改进方案
                                                20121107051457429962483.jpg

   
                                                                短管脚并小容值电容PCB引线也要短


                                     20121107051457476832484.jpg
                                                                      加大匝间距渐进绕组
   
   L磁饱和/频率的影响
             20121107051457508082485.jpg
                                                          高饱和密度磁芯 合适横截面积
                           20121107051457539332486.jpg
LC温度的影响
                                                             20121107051457586212487.jpg
滤波器L/C器件杂散耦合的影响
                                                          20121107051457617462488.jpg
                                                 20121107051457648702489.jpg
寄生参数/耦合的抑制
                               20121107051457695582490.jpg

电感EPC的抑制
                                     20121107051457711202491.jpg
    电容ESL抑制
                                 20121107051457758082492.jpg
耦合的抑制
                   20121107051457804952493.jpg

EMI滤波器小型化设计技术
   EMI的小型化主要受电源原始噪声大小、电感与电容体积影响,通过采用新型磁材料、平面化集成设计、混合滤波器设计的方式,可以有效减小其体积。
  
平面集成设计

平面电磁集成化

                               20121107051457851822494.jpg
                                     20121107051457883072495.jpg
                         20121107051457945572496.jpg

平面集成电容、电感集成
                                     20121107051457976822497.jpg
    20121107051458023692498.jpg

混合集成化
                  20121107051458054942499.jpg

小结:EMC标准的提升,要求抑制器件的高频性能进一步提升;EMI的小型化主要受电源原始噪声大小、电感与电容体积影响,通过采用新型磁材料、平面化集成设计、混合滤波器设计等方式,可以有效减小其体积。
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