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[嵌入式/ARM] 并行NOR Flash在SOPC开发中的应用

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admin 发表于 2013-3-21 05:36:28 | 显示全部楼层 |阅读模式

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  引言
  随着FPGA技术的发展,出现了一种新概念的嵌入式系统,即SOPC(System On Programmable Chip)。SOPC技术融合了SoC和FPGA的优点,将处理器、片上总线、片上存储器、内部外设、I/O接口以及自定义逻辑集成在同一片FPGA中,而且软硬件可裁剪、可升级、可修改,具有软硬件在系统编程能力,在保证高性能的同时具有非常高的灵活性。由于大部分功能部件在FPGA内实现,外部只需要很少的器件,如大容量的RAM、Flash、DAC、ADC等。在系统需要脱离计算机独立运行时(绝大部分情况如此),非易失的存储器件Flash是必不可少的。Flash可以用来存储配置比特流、代码、数据或参数等重要信息。本文以Intel StrataFlash 3V Memory系列的JS28F128J3D75并行NOR Flash(简称“J3D”)和Xilinx FPGA Spartan3E系列的XC3S1600E(简称“1600E”)为背景,在结合项目开发经验和参阅相关文献的基础上,介绍了并行NOR Flash在SOPC开发中的4种不同应用。

  1 存储FPGA配置比特流

  1600E工作在BPI(Bytewide Peripheral InteRFace)配置模式时,通过专门的引脚与J3D连接,这些引脚在配置完成后可以作为用户I/O使用。连接时,大部分引脚参考1600E的数据手册直接连接即可,但有些引脚需要特别注意。J3D有×8(数据总线宽度为8位)和×16(数据总线宽度为16位)两种工作模式。配置时应工作在×8模式,配置完成后,根据需要可以设置为×8或×16模式。图1为1600E与J3D引脚连接示意图。
    20121107053402635022754.jpg
                                              图1 1600E与J3D引脚连接示意图

  若配置后需要切换至×16模式,则需综合考虑1600E的HSWAP脚。HSWAP接高电平时,1600E所有用户I/O的内部上拉电阻禁用,HDC通过4.7kΩ电阻接高电平,LDC2通过4.7 kΩ电阻接地,LDC1和LDC0通过4.7kΩ电阻接高电平,同时这3个信号应分别连到J3D的BYTE#、OE#、CE0脚。这样上电后的瞬间,J3D工作在×8模式,且因CE0脚被拉高而处于非选中状态,不会导致对J3D的误操作;然后在1600E的控制下进入配置状态,配置结束可通过控制LDC2输出高电平而将J3D切换为×16模式。HSWAP接低电平时,1600E所有用户I/O的内部上拉电阻使能,LDC1、LDC0和HDC无需外接上拉电阻;而LDC2应接340Ω的下拉电阻,以使上电后J3D工作在×8模式,从而顺利进入配置状态,配置结束后可将J3D切换为×16模式。

  若配置后工作在×8模式,则J3D的BYTE#脚接低电平,1600E的LDC2悬空。当HSWAP接高电平时,LCD1和LCD0分别连至OE#、CE0脚,同时应通过4.7kΩ电阻上拉;HSWAP接低电平时,LCD1和LCD0不用上拉。

  配置比特流文件首先通过iMPCT转换成MCS文件,再通过PicoBlaze NOR Flash Programmer(http://www.xilinx.com/products/boards/s3estarter/files/s3esk_picoblaze_nor_flash_programmer.zip)下载到J3D中。

  J3D可以同时配置多块FPGA,也可对同一块FPGA进行多比特流配置。例如先配置一个诊断测试比特流,测试成功后,再重新配置应用比特流。

  2 存储可引导的软处理器代码

  首先利用Xilinx嵌入式开发工具箱EDK创建一个嵌入式工程,包括MicroBlaze硬件平台和相应的软件工程。在EDK界面下,用鼠标选中创建的软件工程,右击并在弹出的菜单中选择Generate Linker Script...项,进入Generate Linker Script对话框。将Sections、Heap和Stack指定到BRAM或外部RAM(一般将Heap和Stack指定到BRAM,代码和数据段指定到外部RAM),并指定输出脚本文件名及路径,如图2所示。
    20121107053402931882755.jpg
                                图2 Generate Linker Script对话框

  双击相应软件工程下的Compiler Options选项,进入Set Compiler Options对话框,设定Link Script项为刚才产生的脚本文件,并指定Output ELF File项的路径与名称。现在可以编译相应的软件工程,产生相应的可执行ELF文件,设为Bootable.elf。

  在EDK主界面下,用鼠标选择Device Configuration → Program Flash Memory,进入Program Flash Memory对话框,并按图3进行设置。单击OK按钮,会把Bootable.elf文件自动转为SREC格式,并下载到J3D的指定地址处,同时产生名为bootloadr_0的软件工程。bootloadr_0工程编译后产生的可执行文件executable.elf用来执行引导装载功能,应将其合并到系统比特流system.bit,从而生成dowload.bit。dowload.bit经iMPCT转为MCS文件后下载到配置PROM中(若使用同一片J3D,注意不能与Bootable.elf发生地址空间冲突)。这样,系统上电后,首先对FPGA进行配置,然后引导加载J3D中的代码至相应的BRAM或SDRAM中(具体映射位置已在Generate Linker Script对话框中设定)。
    20121107053402978762756.jpg
                                            图3 Program Flash Memory对话框
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