功率管

在放大电路中担任未级输出的管子叫功率管。
  　　功率管分为大功率管和小功率管。一般PCM（集电极耗损功率）大于1W的叫大功率管如国产的3DD和3DA型的和日产的2SD和2SC管子。PCM小于1W的叫小功率管。如3AX和3DG型的管子。有的较好的电路有CMOS场效应管做功率放大管。
  1、
  我的功率管是ＴＯＳＩＢＡ
  　　　　　　２ＳＣ５２００
  　　　　　　０．　　５２８
  　　　　　　ＪＡＰＡＮ　　　能告诉我０．　５２８　表示啥意思吗？谢谢！！！
  
  
  o=橙色，代表Hfe分档。常见一般有R，O，Y，GR、BL标记（中文红、橙、黄、绿、蓝）
  528是生产时间，即05年第28周生产；
  附：
  日本晶体管命名方法
  第一部分：用数字表示电极的数目
  第二部分：用字母表示JEIA注册标志。
  第三部分：用字母表示器件极性和类别
  A：PNP型高频晶体管 B：PNP型低频晶体管 C：NPN型晶体管 D：NPN型晶体管
  第四部分：用多位数字表示序号
  第五部分：用字母表示同一型号的改进产品
  A：原型号的改进产品 B： C：D：
  后缀字母的说明：
  H：日立公司为通信工业制造的器件。 E：日立公司的器件采用塑封外壳。
   G：东芝为通信设备制造的器件。 S：三洋公司为通信设备制造的器件。
  2、功率管，它的最大输出功率是否仅受其极限参数限制？为什么？
  解：否。还受功率管工作状态的影响，在极限参数中，PCM 还受功率管所处环境温度、散热条件等影响。
  3、高频小功率
  高频小功率三极管一般指特征频率大于3MHz,功率小于1W的三极管。主要用于高频振荡、放大电路中。高频大功率三极管指特征频率大于3MHz,功率大于1W的三极管。主要用于通信等设备中作为功率驱动、放大。
  功率MOSFET(金属－氧化物-半导体场效应晶体管)是最重要的一种功率场效应晶体管,除此之外还有MISFET、MESFET、JFET等几种。功率MOSFET为功率集成器件，内含数百乃至上万个相互并联的MOSFET单元。为提高其集成度和耐压性,大都采用垂直结构(即VMOS)，如VVMOS（V型槽结构）、VUMOS、SIPMOS等。
  功率MOSFET属于电压型控制器件。与GTR相比，功率MOSFET的导通电阻较大，电流密度不易提高，在100kHz以下频率工作时,其功率损耗高于GTR。此外，由于导电沟道很窄（微米级）,单元尺寸精细，其制作也较GTR困难。在80年代中期,功率MOSFET的容量还不大（有100A/60V，75A/100V，5A/1000V等几种）。
  下图为HF/VHF 功率MOS 晶体管BLF117(耗散功率200W,工作频率可高达100MHz)的外形图和芯片图.
  
  场效应管的作用:
  1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
  2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
  3、场效应管可以用作可变电阻。
  4、场效应管可以方便地用作恒流源。
  5、场效应管可以用作电子开关。
  场效应管与晶体管的比较
  (1)场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。
  (2)场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。
  (3)有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。
  (4)场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用高频中、大功率晶体管一般用于视频放大电路、前置放大电路、互补驱动电路、高压开关电路等电路。
  常用的国产高频中、大功率晶体管有3DG41A～3DG41G、3DG83A～3DG83E、3DA87A～3DA87E、3DA88A～3DA88E、3DA93A～3DA93D、3DA151A～3DG151D、3DA1～3DA5、3DA100～3DA108、3DA14A～3DA14D、3DA30A～3DA30D、3DG152A～3DG152J、3CA1～3CA9等型号。
  常用的进口高频中、大功率晶体管有2SA634、2SA636、2SA648A、2SA670、2SB940、2SB734、2SC2068、2SC2258、2SC2371、2SD1266A、2SD966、2SD8829、S8050、S8550、BD135、BD136等型号。(录入编辑：电路图电路网www.dltdl.com)