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[基础电路] 什么是半导体?

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admin 发表于 2013-2-22 22:17:06 | 显示全部楼层 |阅读模式

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什么叫半导体?
   物质若以导电性来区分,大致上可归类为导体或绝缘体两种,一般所称的导体即金属,其导电性会随着温度升高而减弱,也就是说电阻会随着温度升高而增大,在1833年,电子学之父法拉第发现了硫化银的电阻与金属不同,随着温度的上升,它的电阻反而降低,即导电性增强,这是人类首次发现异于导体特性的物质,或者是说「非导体」或「非绝缘体」,这一类物质就是所谓的半导体,其导电性比导体小很多,但却又比绝缘体好。随着科学的逐步发展,半导体也渐渐展露头角,进而引领二十世纪的科技。
   
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   最常见的半导体材料,就是地表含量最多的硅(Si),硅原子本身具有四个价电子,分别位在sp3的四个轨域中,由于每个轨域需拥有2个电子,以形成八隅体的稳定状态,正好在纯硅中,每个硅原子都与四个硅原子相邻,并且与这四个外围硅原子共享轨域,形成硅原子间的共价结构,如上图(a)所示,此种共价结果相当稳定,不存在自由电子,也因此纯硅的导电性极差。
   但是,如果我们在纯硅中掺入少许的砷(As)或磷(P),每个砷或磷原子会取代某个硅原子,仍与四个硅原子相邻,需要四个电子以形成四个共价键,由于砷或磷原子的最外层有五个电子,却只与硅共享四个电子,因而多出了一个可自由活动的电子,也就是自由电子,这种架构就是所谓的n型半导体,如上图(b)所示。如果我们在纯硅中掺入少许的硼(B),就反而少了一个电子,而形成一个电洞,这样就形成p型半导体,如上图(c)所示。此时若在硅晶两端加电压,就能使电子产生自由移动而显着地增加其导电性。
   半导体的重要性,已使得电子、光学和能量工业等都产生重大改进.
   IC芯片
   IC芯片就是所谓的集成电路芯片,它是目前最为大家所熟悉的科技名词,人类的生活质量也因为IC芯片的开发,受到巨幅的改善,平日触目所见的手机、计算机、数字相机、汽车、…等等,都必须利用到IC芯片,底下就来谈谈IC芯片的发展及影响。
   谈到IC芯片,就必须介绍二十世纪最重要的发明─晶体管(transister),这是1947年12月23日,由美国贝尔实验室之萧克利(Shockley)、巴丁(Bardeen)、布拉顿(Brattain)等三位科学家所开发出来的,是具有放大电流效果的固态三极体电子组件,属于点接触式晶体管,这项成果于1948年六月才正式发表,三人后来在1956年也因晶体管的发明获颁诺贝尔物理奖。
   事实上,在研发晶体管的时代,有一项科技正蓬勃地展开,那就是建构自动计算的电子计算器,当时的电子计算器是采用0与1的代数运算,为了表达0与1的符号,乃采用快速的开关组件─真空管。
   
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   真空管是具有三个电极的组件(如图所示),在负极加热以产生电子,若在栅极施加电压,则电子受到阻力无法到达正极,此时真空管是处在’关’的状态,反之,若除去栅极上的电压,则阻力消失,管内产生电子流冲向正极,此时真空管是处在’开’的状态。在1940年代初期,电子计算器开始出现,利用真空管的’开’与’关’当作’0’与’1’,或者是’1’与’0’,来进行数值计算,其中英国的「Colossus」咸信是世界上第一台电子计算器,共享了2500个真空管,其目的是为了破解德国纳粹的通讯密码;当时在美国也为了军事用途,制造了具有计算积分能力的「ENIAC」,,所使用的真空管约两万个,除了体积庞大及价格昂贵外,所消耗的功率更是吓人,不过「ENIAC」的主要缺点还不是这些,而是真空管的寿命,通常一个真空管约可使用三千小时,将近四个月,乍听之下,似乎还算正常,但是以机率来看,四个月必须汰换两万个真空管,平均起来,约10分钟就会烧坏一个,也就是说可能十几分钟就要从两万个酷似的真空管中,去寻找出那一个是烧毁的,光想到这件事就令人感到沮丧,幸好不到几年的光景晶体管就诞生了。由于晶体管的体积小,消耗功率低,且量产容易,成本低廉,更重要的是它的寿命几乎是无限的,所以一出现后,就取代真空管,成为最重要的开关组件。
   事实上,晶体管也可以当作讯号或功率放大器来使用,但是底下只着重在开关功能的应用。关于第一个晶体管的构想,事实上是萧克利提出的,但理论的问题却是由巴丁加以解决才获得成功,为了争一口气,不服输的萧克利于是闭关苦思,尝试解决原点接触式晶体管的缺点─质量难以掌控,经过一个月的努力,终于在1948年开发出质量相当稳定的接面式晶体管(BJT),由于生产技术不难,旋即成为瞩目的焦点及当时半导体组件的主流。后来萧克利离开贝尔实验室,在加州湾区开创第一家半导体公司,引起了风起云涌的硅谷盛事。
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   接面式晶体管有n-p-n及p-n-p两型,以n-p-n型来做说明,如上图所示,共分三层,中间层为p型半导体,载子为电洞,另外两层都是n型半导体,载子为电子,这三层并不是用三块不同的半导体黏合而成,而是在同一块的Si材料中,掺入少许的三价原子,在中间基极形成p型半导体,而在两边掺入少许的五价原子,形成n型半导体,分别当作射极与集极。
   使用时将集极与射极分别接上电源1的正负极,先假设电源2为断路,则在电源1正负极的作用下,电子由负极出发,穿越晶体管,再回到正极,形成电子流,应注意的是并非所有的电子都能顺利回到正极,在穿过基极时,会有少数的电子被其中的电洞捕捉住,而停滞不前,成为射极中电子的前进障碍,一旦基极累积了过多的电子,造成后来的电子无法再前进时,电子流便会消失,使得晶体管即呈现出关闭的状态;若想要再度形成射集与集极间的电子流,必须随时清除基极中所累积的电子,解决的方式是在基极与射极间接上电源2,其电压值不大,在基极与射极间形成较小的正负极作用,以产生小的电子流,将累积在基极上的少数电子不断清除,让电子顺利通过基极,形成导通的状态。显然地,经由基极上电压的控制,晶体管可具有开关的功能,成为比真空管更经济与实用的开关组件。
   晶体管除了接面式晶体管外,还有场效型晶体管(FET),场效型的观念早在1930年便申请到专利,但是在开发上并不顺利,一直到1960年,才由柯恩(D.Kahng)及阿塔拉(M.Atala)设计出来,由于他们所利用的是金属-氧化物-半导体(简称金氧半)的闸极结构,所以称为金氧半场效晶体管(MOSFET, metal-oxide- semiconductor field-effect transistor)。由于金氧半场效晶体管的体积大幅缩小,加上具备低耗电量、高稳定性、容易量产等优势,因此在微电子的应用领域中,后来居上,在产量及用途上都一枝独秀,远远超过其它的电子组件。
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   金氧半场效晶体管的结构如上图所示,为n-p-n型半导体,分为源极、闸极与漏极,与接面式晶体管相似,所不同者在于闸极的厚度宽大,且上面覆盖一层氧化物SiO2,当作绝缘体,使用时将漏极与源极分别接上电源1的正负极,先假设电源2为断路,则在电源1正负极的作用下,电子由负极出发,沿着上层穿越晶体管,再回到正极,形成电子流,同样地,在穿过闸极时,电子会被其中的电洞捕捉住,成为电子前进的障碍,最后导致电子流消失,晶体管呈现关闭的状态;为了避免电洞的捕捉效应,在源极与闸极间接上电源2,此时闸极上的正极将p型半导体的电洞推向底部,让闸极上层形成电子的无障碍信道,又由于氧化物的隔绝,电子不会自闸极流失,全部顺利进入漏极,形成导通的状态。显然地,经由闸极上电压的控制,晶体管是具有开关功能的组件。
   两种晶体管在不同的应用上各有优缺点,当要求高操作速率时,通常考虑使用接面式晶体管,而当要求高密度的集成电路制造时,金氧半晶体管才是较佳的选择,因为它是采平面的配置方式,所以制作容易,成本较低,加上可以紧密排列,使体积大幅缩小,目前制作IC芯片时,都是以金氧半晶体管为主要技术。
   事实上,在IC芯片的优势中,最吸引人的就是体积不断缩小,摩尔(Gordon Moore)在1964年曾预言芯片上的晶体管数目每年都会加倍,这就是有名的「摩尔定律」,当然这个预言只是在初期时有效,不可能一直持续,所以人们也开始注意必须要经过多少年,摩尔定律才会逐渐失效?由下图中的统计图,可以看出在1980年代的中期之前,由晶体管个数小于50个的小型集成电路(SSI),到中型集成电路(MSI),再进展至大规模集成电路(LSI),摩尔定律仍算吻合;但是自1980年代后期至今,由大规模集成电路(LSI),已经进展至晶体管个数超过10万个的超大规模集成电路(VLSI),目前甚至再朝晶体管个数将近数百万个的极大规模集成电路(ULSI)发展,可是在三十年内只有大约成长了100倍,每年倍增的趋势早已和缓,换句话说,摩尔定律不再适用。到底是什么因素限制了摩尔定律?到底芯片的密度到底可以缩到多小?虽然这些是相当重要的问题,值得做进一步的探索,但是属于非常专业的领域,所以这里不再做进一步的说明,留待有兴趣的同学自已去研究。目前的科技已经进入次微米时代,并且向奈米技术迈进,晶体管个数超过十亿个的集成电路将不再是难事。
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