最近,倒装芯片领域其他的里程碑还包括倒装芯片的“凸点工艺”,或者说焊料沉积可选范围的发展。90年代中期,像300 mm这样的大尺寸晶圆驱使IBM和其他厂商从真空蒸发方法转向电镀方法。最近IBM和SUSS MicroTec(德国慕尼黑)共同开发并商业化了IBM的下一代无铅半导体封装技术,也就是可控塌陷芯片连接新工艺(C4NP),目前已进入量产。O’Leary指出,采用C4NP可以在前端就完成预先图形化的焊料球,缩短了工艺流程的时间。可以预先检查焊料凸点,并采用与晶圆级键合类似的技术,一步沉积在晶圆上。这种方法将焊料涂覆的简便性(网版/丝印)和电镀的窄节距能力结合在一起。“C4NP和电镀方法都可以在产品中获得150 μm的C4节距,从而满足硅器件等比例缩减的要求,”O’Leary介绍说。 function ImgZoom(Id)//重新设置图片大小 防止撑破表格 { var w = $(Id).width; var m = 650; if(w