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数字万用表识别三极管的方法

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donglw 发表于 2024-8-1 15:59:09 | 显示全部楼层 |阅读模式

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杂质半导体中多子数量与掺杂浓度密切相关,掺杂浓度越高,多子数量越多。形成PN结的内电场越强。掺杂浓度高的半导体形成的PN结,其正向压降亦相应地高。发射结正向压降大于集电结的正向压降。

数字万用表识别三极管的方法.zip

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 楼主| donglw 发表于 2024-8-1 16:02:12 | 显示全部楼层
指针万用表无法判断,因为所用电池为1.5伏。
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