功率放大器设计及小型化技术

本文将要论述的是有关砷化镓场效应管(GaAs FET)功率
放大器的设计技巧和小型化问题。一般而言，功率放大器的设
计重点在匹配电路，但对GaAs FET功率放大器而言，构成功
率放大器的其它部分特别是输入输出偏置电路，接地等问题也
是不容忽视的。由于偏置电路设计不当，会耗去调试人员大部
分时间和精力去解决诸如稳定性问题，这些问题之所以存在，
是因为高功率GaBs器件有较为复杂的外围电路， 器件本身
具有大的传输跨导，大电流引起的接地效应也是导致不稳定的
潜在因素。针对这些问题，下面将从偏置、匹配和接地三方面谈
谈GaAs FET功率放大器的设计方法和常用技巧，这些正是小
型化所必须的。最后给出手持型功率放大器模块的设计实例。

RF0907026--功率放大器设计及小型化技术.pdf (4.46 MB, 下载次数: 0)

2012-9-4 05:42 上传

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