对于建立好的模型.可以通过电磁场的数值模拟软件来对其辐射特性进行分析。在这里我们使用Ansoft的HFSS(High Frequency Structure Simulator)来进行模拟。首先来研究这种闭合印制线回路的面积发生变化时其辐射特性如何发生变化。当差模辐射用小环天线产生的辐射来模拟时,在距离辐射回路为的远场的电场强度为E=131.6 ×106(fSI)(1/r)Sinθ(1)其中f(H2)为回路中电流信号的频率,S(m2)为回路面积,1(A)为电流强度,θ(0)为测量天线与辐射平面的夹角。我们根据图1所示的结构,取正方形闭合回路的边长分别为3cm、4cm、5cm、6cm和7cm进行模拟,信号频率为500MHz。图3(a)和图4分别为模拟得到的差模电流辐射的远场三维方向图(由于闭合回路的边长变化时其远场方向图是非常相似的,此处只给出边长为5cm时的方向图)和S-E曲线,从中可以很明显出由于印制线路板接地平面的存在使得差模辐射功率主要集中在接地平面上方,同时,远区辐射场的电场强度与回路面积呈线性变化关系(本文中的电场强度均指在闭合印制线回路最大辐射方向上的电场强度),这与式(1)是完全符合的。