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[电源技术] TEA1520系列单片开关电源的应用电路及设计要点

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admin 发表于 2014-4-2 12:32:30 | 显示全部楼层 |阅读模式

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1  简易型开关电源
       由TEA1520系列构成的简易型开关电源电路如图1所示。
   
   图1由TEA1520系列构成简易型开关电源的电路
       为防止刚上电时输入滤波电容的充电电流过大,在交流电源输入端串联了一只负温度系数的热敏电阻R1(NTC)。BR为整流桥。由C1、L和C2构成π型滤波器。交流电源电压u经过整流滤波后获得直流高压UI,给高频变压器一次侧供电。由VDZ和VD1构成的钳位保护电路,可将漏感产生的尖峰电压衰减到安全范围内,避免损坏芯片。二次绕组电压通过VD3、C5整流滤波后,获得输出电压UO。反馈绕组电压UF分成两路:第一路经过VD2R2、C3整流滤波后,给TEA1520提供电源电压UCC,再经过R3、R4分压后得到反馈电压UREG,加至TEA1520的脚4;另一路则通过退磁电阻RAUX接脚5。R5和C4分别为振荡电阻、振荡电容。RI是过流检测电阻,利用过流保护电路可限制漏极电流不超过极限值。C6为安全电容。
   2  精密开关电源
       由TEA1522T构成的3W精密开关电源电路如图2所示。当配80~276V交流电源时,最大输出功率可达7W。与图1所示电路相比主要有以下区别:
    20121112052035521634274.jpg
   图2  由TEA1522T构成的3W精密开关电源电路
       1)电路中增加了由可调式并联稳压器(TL431)和光耦合器(SFH6106-2)组成的光耦反馈式电路;
       2)输出级采用两级滤波器,第一级滤波器由C3构成,第二级滤波器由L2、C4构成,亦称后置滤波器,可进一步滤除纹波电压;
       3)在UCC-REG端之间并联一只反向击穿电压为22V的1N6008B型稳压管,一旦UCC>22V,可起到钳位保护作用。
       一次侧的钳位保护电路由VDZ1和VD1所组成。其中,VDZ1为BZD27-C160型瞬态电压抑制器,可直接用P6KE160或者P6KE200来代替。阻塞二极管VD1实选BYD37J型600V/1.5A快恢复二极管,亦可选UF4005型600V/1A的超快恢复二极管,VD3采用STPS340U型400V/3A的肖特基二极管。SFH6106-2型光耦合器亦可用PC817A来代替。高频变压器采用EE13型磁芯,一次绕组匝数NP=134匝,其电感量LP=1.8mH。二次绕组匝数NS=8匝,反馈绕组匝数NF=22匝。
       该电源具有良好的稳压性能。举例说明,当UO降低时,经过R5、R6分压后得到取样电压,与TL431内部的2.50V基准电压进行比较之后,使K点电位升高,LED的工作电流减小,再通过光耦合器使UREG升高,令TEA1522T的输出占空比增大,迫使UO升高,恢复到稳定值,从而达到了稳压的目的。RI为过流检测电阻,RAUX为退磁电阻。R7和R8是LED的限流电阻。R7还与C8构成滤波器,可滤除高频干扰。C7可适当降低误差放大器在高频端的增益,防止出现自激振荡。R9和C10用以改善误差放大器的瞬态响应。C11为安全电容,能够滤除由一次、二次绕组间分布电容产生的噪声电压。
       当u=75~275V时,实测空载时的待机功耗(PD)与电源电压(u)的关系曲线如图3所示。由图3可见,PD最大不超过63mW,远低于100mW,这是TEA1520系列产品的一大特点。开关电源输出功率(PO)与开关频率(f)的关系曲线如图4所示,不难看出,在小功率输出时,开关频率随着输出功率的减小而迅速降低,这是此系列产品的另一显着特点。
    20121112052035599834275.jpg
   图3  待机功耗与电源电压的关系曲线
    20121112052035662404276.jpg
   图4  输出功率与开关频率的关系曲线
   3  设计要点
       下面介绍TEA1520系列单片开关电源的设计要点。需要指出,设计TEA1520系列时所用的公式与TOPSwitch-Ⅱ系列有所不同,原因之一是这两种芯片的特性存在差异,原因之二是在设计方法上二者有一定区别。下面以3W精密开关电源为例,介绍TEA1520系列的设计要点。
   3.1  开关频率
       通过选择振荡电阻与振荡电容值,即可设定开关频率,允许范围是20kHz~200kHz。取R2=7.5kΩ、C5=330pF时,开关频率f≈115kHz,可近似视为100kHz。振荡电容容量的允许范围是220~1000pF,不得小于220pF,否则电路可能不起振。如取C5=100pF时,欲设计f=200kHz,开关电源就无法正常工作。
   3.2  高频变压器的设计
       1)一次绕组的电感量LP
       计算LP的公式为
           LP= 20121112052035709324277.jpg    (1)
   式中:IP为一次绕组的峰值电流。
       2)磁芯的选择
       所选用的磁芯应能满足存储最大能量并留有一定气隙宽度的要求。但二者之间也存在着矛盾,尽管增大气隙宽度可以存储更多的能量,但泄漏电感也会随之增大,因此应做综合考虑。高频变压器所存储的最大能量(EM)由下式确定:
         EM=10-6IP2LP      (2)
   式中:IP、LP的单位分别取mA、mH,EM的单位是mJ。
       计算每边留出气隙宽度的公式为
          δ= 20121112052035756244278.jpg       (3)
   式中:δ为磁芯每边留出的气隙宽度(单位是mm),一般取0.1~0.3mm;
         SJ为磁芯有效截面积(单位是mm2);
          BM为最大磁通密度(单位是mT),一般可取275mT,这样在工作时不会进入磁饱和状态。
   有关高频变压器磁芯的选择,可参阅表1。磁芯型号中的三组数字,分别表示磁芯的长度、宽度和厚度(单位是mm)。所选择的磁芯应符合下述条件
         EM(δ1)≤EM≤EM(δ2)      (4)
   表1 磁芯的选择
    所存储的最大容量EM/mJ    磁芯的型号    有效截面积SJ/mm2
    δ1=0.1mm    δ2=0.3mm
    0.10    0.23    E13/7/4    12.40
    0.13    0.33    E16/12/5    19.40
    0.14    0.34    E16/8/5    20.10
    0.15    0.35    E13/6/6    20.20
    0.20    0.45    E19/8/5    22.60
    0.21    0.50    E20/10/5    31.20
    0.27    0.62    E20/10/6    32.00
    0.33    0.78    E25/9/6    38.40
    0.38    0.88    E19/8/9    41.30
    0.45    1.00    E25/13/7    52.00
    0.64    1.40    E30/15/7    60.00
    0.74    1.80    E31/13/9    83.20
    0.74    1.80    E32/16/9    83.00
    0.74    1.80    E34/14/9    80.70

       举例说明,现采用E13/7/4型磁芯,查表1可知SJ=12.40mm2。已知LP=1.8mH,BM=275mT,令IP=330mA,分别代入式(2)和式(3),计算出
   
         EM=10-6IP2LP=10-6×3302×1.8=0.19mJ
            δ= 20121112052035803164279.jpg = 20121112052035834444280.jpg =0.11mm
   查表1可知,EM(δ1)=0.10mJ,EM(δ2)=0.23mJ,而算出的EM=0.19mJ,恰好在0.10~0.23mJ之间,满足式(4)的规定条件,由此证明所选磁芯是合适的。为便于加工,实际气隙宽度可取整数值0.1mm。
       3)一次绕组匝数NP计算公式为
           NP= 20121112052035881364281.jpg      (5)
   根据计算结果找出一个最接近于NP值的整数值,作为一次绕组的实际匝数。将δ=0.1mm,BM=275mT,IP=330mA,代入式(5)中,得到NP=133.2匝≈134匝。
       4)二次绕组匝数NS
       按下式计算NS并取整数值
           NS= 20121112052035943934282.jpg ·NP     (6)
   式中,UF3为输出整流管的正向压降。实取UO=5V,UF3=0.4V(采用肖特基二极管),n=17,NP=134匝,代入式(6)中求出NS=8.5匝,取整数值8匝。
       5)反馈绕组匝数NF
       当电源电压UCC确定后,可按下式计算NF值
            NF= 20121112052035975214283.jpg ·NS   (7)
   将UCC=15V,UO=5V,UF2=0.7V代入式(7)中求得,NF=22.04匝,取整数值22匝。
   3.3  计算过流检测电阻RI
       过流检测电阻用来限定IP值,亦即MOSFET的最大漏极电流ID(max)。RI上最大压降的典型值为URI=0.5V。RI的阻值可用下式求出
          RI≤ 20121112052036006494284.jpg = 20121112052036069054285.jpg        (8)
       当IP=330mA时,由式(8)计算出RI=1.5Ω。其最大功耗P=IPURI=0.165W,实选0.5W的电阻。
   3.4  计算退磁电阻RAUX
       计算退磁电阻的公式为
         RAUX=0.7nUO     (9)
   式(9)中电阻的单位是kΩ。取UO=5V,n=NP/NS=134/8=16.75≈17,将nUO=85V代入式(9)中不难算出,RAUX=60kΩ。图2中实取75kΩ。
   3.5  确定电源电压UCC
       TEA1520系列的电源电压典型值约为13V,实际可取20V以下。计算公式为
          UCC= 20121112052036209824286.jpg ·(UO+UF2)-UF2    (10)
   式中的UF2代表反馈电路中整流管VD2的正向压降。将NF=22匝,NS=8匝,UO=5V,UF2=0.7V一并代入式(10)中,得到UCC=15V。
*滑块验证:
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