RF0907013--LDMOS功率放大器的温度特性及温补电路设计.pdf

LDMOS管是专为射频功率放
大器设计的改进型n沟道M0SFET，
常工作在AB类，在工作点附近具有
正的温度特性， 即在一定的栅压
下，当工作温度升高时，其静态电
流IDo升高；当工作温度降低时，IDo
降低。一般地，当LDMOS管热沉
温度从20~C升高到IO0~C时，其静
态工作电流ID0变化140％；当温度
降低至01Z时，变化量也有30％。ID0
变化会影响系统的增益、效率和线性
等指标，其中又以线性影响最
大。因此，在工作中维持功率管(特
别是大功率管)I。Q恒定，是功放板
设计的关键点之一。